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三星开始自研GPU计划,预计未来在Galaxy S系列手机上搭载
芯电易 | 2019-05-10 11:19:40    阅读:3307   发布文章

三星开始自研GPU计划,预计未来在Galaxy S系列手机上搭载

 

积极发展晶圆代工业务,挑战台积电之外,在自研芯片业务上,除了目前既有的 Exynos 处理器与基频芯片之外,目前更加触角延伸到绘图芯片(GPU),预计未来三星的 Galaxy S 系列智能型手机将会搭载自行研发的绘图芯片。

 

根据韩国媒体《BusinessKorea》报导,绘图芯片的重要性是除了在智能型手机上不可或缺的重要零组件之外,还是发展人工智能(AI)的关键设备。因此,自 2018 年开始,就有消息指出,三星计划开发自家的绘图芯片,并且搭载在三星的 Galaxy 系列智能型手机。事实上,由当前三星在美国奥斯汀研发中心新的征才内容中可发现,目前该中心正在征求具备绘图芯片开发专业知识的员工,因此这项计划的确在进行中。

 

报导进一步指出,目前正使用 ARM 架构绘图芯片的三星,搭配自家 Exynos 处理器时,因架构的绘图芯片占据太多 Exynos 处理器空间。与高通或苹果处理器相较,三星 Exynos 处理器性能相对落后。为改善这情况,三星期望在 2020 年与 ARM 合约到期之后,开始使用自家研发的绘图芯片,并在 Galaxy S 系列智能手机搭载测试。

 

而除了藉由自行研发的绘图芯片来改善自家的 Exynos 处理器效能之外,三星自行研发的绘图芯片还有一个重要目的,那就是抢攻人工智能及自驾车的芯片市场。

 

报导表示,这两块市场都是未来半导体发展的重要区块,尤其是在目前由英伟达(NVIDIA)主导的自驾车市场,市场规模将由 2018 年的 256 亿美元,成长至 2023 年的 355 亿美元,成长率高达 35.8%,这也是三星希望能积极抢攻的市场。

 

SK海力士出货961Tb QLC 4D NAND 样品

 

3D NAND 堆栈发展至 96 层,这是接下来一段时间内的市场主流。

 

2018 年底,SK HynixSK海力士)发表 96 层堆栈快闪存储器,是为 TLC 类型、单一裸晶容量 512Gb64GB)产品,还特地取了个有意思的 4D NAND 名词(本质和 3D NAND 相仿)。SK Hynix 当时曾预告,在 2019 年也就是今年的某个时间点,自家 96 层堆栈产品技术发展将进入另一个阶段,容量会倍增至 1Tb128GB)。

 

SK Hynix 刚实现了这点,官方宣布 96 层、1Tb 样品已经备妥,正陆续出货提供给予主要的控制器、固态硬盘制造商。不过首波 1Tb 样品属于 QLC 类型,基于 4D NAND 架构设计具有 4 个平面(Plane)、区块容量 64KB,这数量规划 2 倍于典型快闪存储器(2 plane32KB 之类规格),SK Hynix 强调这是确保性能的关键。

 

此外,SK Hynix 自己也投入 QLC 所适用控制器与韧体等开发,计划在 2020 年推出自有品牌企业级固态硬盘。SK Hynix 将致力于提升储存密度,除了以追上硬盘 16TB 之类容量作为目标,更希望能够吸引企业舍硬盘就固态硬盘。

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