导读：汽车电子、5G技术、新能源汽车、轨道交通等产业的快速发展，提高了电子技术对高温、高功率、高压、高频的器件需求，于是第三代半导体应运而生。第三代半导体主要包括碳化硅（SiC）、氮化铝（AlN）、氮化镓（GaN）、金刚石、氧化锌（ZnO），其中，发展较为成熟的是SiC和GaN。美、日、欧等各国对此进行了积极的战略部署，英飞凌、罗姆、德仪半导体、意法半导体等国际厂商也纷纷开始在第三代半导体上有所动作，使得第三代半导体材料引发全球瞩目，并成为半导体技术研究前沿和产业竞争焦点。加之，台积电、世界先进、稳懋、X-Fab、汉磊及环宇等一众台系代工厂参与到第三代半导体的发展，逐渐将第三代半导体推上了C位。

政策分析:

2015年5月，国务院印发了《中国制造2025》。其中，4次提到了以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体功率器件。

2018年7月，国内首个《第三代半导体电力电子技术路线图》正式发布。路线图主要从衬底/外延/器件、封装/模块、SiC应用、GaN应用等四个方面展开论述，提出了中国发展第三代半导体电力电子技术的路径建议和对未来产业发展的预测。

到目前为止，国内已有四条4/6英寸SiC生产/中试线和三条GaN生产/中试线相继投入使用，并在建多个与第三代半导体相关的研发中试平台。国产化的单晶衬底、外延片所占市场份额不断扩大，国产化的SiC二极管和Mosfet开始进入市场，国产GaN微波和射频器件在国防和通讯领域发挥主导作用。

中国芯片产业已经形成良好的发展态势,中国两大芯片制造巨头华虹和中芯你追我赶，先导研发达到7-5nm。

据悉，华虹集团集成电路制造业务的2018年度主营业务销售收入达16.05亿美元，年增长15.06%。华力首颗28纳米低功耗无线通讯数据处理芯片已实现量产，CIS（图像传感器）芯片工艺技术进入全球领先阵营。据介绍，华虹累计专利申请总量超过1.2万件，已获授权6442件。除了28nm工艺，14nm工艺已经开始研发，先导研发达到7-5nm。

华虹五厂

中国另一晶圆代工厂中芯国际日前发布了截至 2018年12月31日的2018年第4季财报。根据资料显示， 2018年全年营收 33.6亿美元，较 2017年增长了8.3%。中芯国际表示，第一代FinFET 14纳米技术进入客户验证阶段，产品可靠度与良率已进一步提升。同时，12 纳米的技术开发也开始有所突破。与14纳米制程相比，中芯国际的12纳米制程功耗降低了20%，性能提升了10%，错误率降低了20%。而目前流程设计套件已准备就绪，同时IP验证正在进行中。

中芯国际北京厂生产车间

纵观全球晶圆代工厂，龙头企业台积电已量产7nm、5nm即将登场，三星亦已量产7nm，有着在先进制程上与台积电一拼到底之势，中芯国际虽然与台积电等仍落后两代，但距离正在逐渐缩小；而随着格芯宣布搁置7nm FinFET项目、联电不再投资12nm以下制程，未来中芯国际或有希望在先进制程方面突围。

中芯国际生产线

材料方面，国产化5G通信芯片用氮化镓材料日前在西电芜湖研究院试制成功，这标志着今后国内各大芯片企业生产5G通信芯片，有望用上国产材料。根据TrendForce最新研究报告显示，2018年，中国IC设计业的收入已经达到了2515亿元，年增长率为23%。其中，海思，紫光展锐和北京豪威位列前三。可以这么说，目前中国芯片产业已经形成良好的发展态势，未来跻身全球芯片强国之列不是梦。

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